Ученые разработали многоэтажный процессор
Москва. 11 декабря. INTERFAX.RU - Группа исследователей из Стэнфордского университета разработала компьютерный чип с "многоэтажной" архитектурой, в которой процессорные слои чередуются со слоями памяти, сообщает ресурс N+1.
Новая разработка получила название N3XT (Nano-Engineered Computing Systems Technology, нано-инженерная технология вычислительных систем). По данным разработчиков, такая архитектура позволит сделать новые чипы более производительными и менее энергопотребляющими.
В новом чипе процессоры и память соединены миллионами коротких электропроводящих дорожек, обеспечивающих обмен сигналами между всеми компонентами. По словам профессора Филипа Вонга, участвующего в разработке, при сопоставимом с обычными чипами количестве вычислительных единиц и объема памяти новый многослойный чип будет превосходить по производительности старый в тысячу раз. В чипе Стэнфордского университета, вместо обычных кремниевых транзисторов используются транзисторы из углеродных нанотрубок.
Память для чипа создается по традиционно кремниевой технологии. Подробности производства нового чипа не раскрываются. Известно только, что все слои нового чипа сначала создаются по отдельности, а затем уже размещаются друг над другом и электрически соединяются. Для того, чтобы снизить температуру работающего многослойного чипа исследователи интегрировали в каждый слой специальный теплопроводящий материал.
Работающий прототип чипа, созданного по архитектуре N3XT, был первые продемонстрирован в декабре 2014 года. Он состоял из четырех слоев: двух - резистивной памяти с произвольной выборкой (RRAM) и двух - вычислительных с транзисторами на основе углеродных нанотрубок.
Современные процессорные чипы строятся по "одноэтажной" технологии. Чип делится на несколько зон (вычислительные ядра, кэш-память), расположенных в одной плоскости. Все зоны электрически соединены друг с другом, однако множественные длинные электрические соединения несколько снижают общую производительность чипа и повышают энергопотребление.
